Nghiên cứu cấu trúc lai hóa LaTaO/PZT cho lớp điện môi làm cổng trong transistor dạng màng mỏng chế tạo bằng phương pháp dung dịch : Đề tài NCKH. QG.14.08 /
Bùi Nguyên Quốc Trình
- H. : ĐHQGHN , 2016
- 20 tr.
Lớp điện môi Phương pháp dung dịch Cấu trúc lai hóa LaTaO/PZT